Речь идёт о базовом кристалле — логическом слое в нижней части стека HBM. До сих пор Samsung самостоятельно производила и базовый кристалл, и расположенные над ним кристаллы памяти для всех своих HBM. Такой подход называется производством под ключ. По данным издания, Samsung решила изменить его для Nvidia.
Что попросила Nvidia
NVHBM — собственная разработка Nvidia в области HBM, представленная в августе. Nvidia попросила всех трёх поставщиков NVHBM производить базовый кристалл по 3-нанометровому техпроцессу TSMC. Это Samsung, SK Hynix и Micron. Кроме того, Nvidia хочет, чтобы кристаллы памяти выпускались по стандарту 1c — шестому поколению технологии DRAM. В NVHBM используется конструкция HBM4E, седьмого поколения HBM.
Как пишет газета, причина — необходимость обеспечить единообразие. Если поставщики используют разные методы, добиться одинаковой производительности одной и той же конструкции у всех непросто. Единый процесс также избавляет Nvidia от необходимости отдельно проверять чипы каждого поставщика. Подразделение Device Solutions компании Samsung согласилось на это после внутренней проверки.
Компании уже сотрудничали четыре года назад: тогда Samsung адаптировала свою HBM к процессу корпусирования TSMC.
Почему важен базовый кристалл
В NVHBM контроллер памяти переносится с GPU на базовый кристалл. Об этом говорится во втором материале Seoul Economic Daily. Благодаря этому на GPU освобождается место для дополнительных вычислительных схем. Чтобы разместить их, физический уровень, обеспечивающий связь с другими чипами, сделали на 60% меньше, чем в стандартной HBM. По данным издания, в результате пропускная способность увеличится на 30%, а энергопотребление снизится на 15% по сравнению со стандартной HBM4E.
По оценкам отрасли, выход годных кристаллов на 3-нанометровом техпроцессе TSMC превышает 90%. Для сравнения, у сопоставимого 2-нанометрового техпроцесса SF2 компании Samsung Foundry этот показатель составляет около 60%.
Дефицит предложения
UBS ожидает, что в следующем году спрос на HBM составит около 61,5 млрд гигабитов, увеличившись на 91%. По прогнозу банка, производители памяти поставят лишь 54,6 млрд гигабитов. Как пишет газета, дефицит составит около 10%.
TSMC добавляет две линии по выпуску 3-нанометровых чипов на предприятии Fab 18 в Тайнане. Массовое производство на них должно начаться в первой половине 2027 и 2028 годов соответственно. Компания также планирует запустить линии по производству 3-нанометровых чипов на своих вторых предприятиях в Аризоне и японской Кумамото.
Samsung сохраняет собственный подход
Samsung продолжит использовать подход «под ключ» для стандартных HBM4 и HBM4E, в которых применяются её собственные 4-нанометровые базовые кристаллы. Компания сохранит его и для кастомных HBM, предназначенных другим заказчикам, включая AMD. Кроме того, Samsung проверяет, сможет ли её собственное литейное подразделение производить базовый кристалл NVHBM по 2-нанометровому техпроцессу. По словам представителя отрасли, это запасной вариант на случай, если спрос превысит производственные мощности TSMC.
Опубликовано 19 октября 2026 - 08:49 Наверх
